技術(shù)文章
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新潔能功率半導(dǎo)體命名規(guī)則介紹 新潔能致力于推廣性能**、質(zhì)量穩(wěn)定并且**價格競爭力的全系列MOSFET產(chǎn)品。我們?yōu)殡娐吩O(shè)計師們提供**的產(chǎn)品選擇，擊穿電壓覆蓋-200V至300V，配合先進(jìn)的封裝技術(shù)，為您提供100mA至400A的電流選擇范圍。我們專注...發(fā)布時間：2022-12-14 18:09 點(diǎn)擊次數(shù)：1281 次
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英飛凌推出專為牽引驅(qū)動而優(yōu)化的全新IHM/IHV B功率模塊——*大運(yùn)行溫度達(dá)+150°C，功耗大幅度削減，具備高功率循環(huán)能力 英飛凌科技公司IHM/IHVB系列的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊。運(yùn)用這個全新的模塊，用戶可設(shè)計出能夠在嚴(yán)酷的環(huán)境下正常工作，**滿足大負(fù)荷與溫度循環(huán)要求的高效功率變頻器，如機(jī)車、列車和電車的牽引驅(qū)動裝置等。全新模塊擴(kuò)...發(fā)布時間：2022-09-09 21:30 點(diǎn)擊次數(shù)：393 次
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英飛凌CoolSiC?功率模塊可將有軌電車的能耗降低10% 全球逐步淘汰化石燃料這一趨勢給包括交通運(yùn)輸在內(nèi)的許多行業(yè)都帶來了挑戰(zhàn)。舉例來說，整個社會向綠色出行方式轉(zhuǎn)型，就需要減少短途航班及駕車出行，而這勢必會促進(jìn)軌道交通的發(fā)展。政府發(fā)布的減碳措施也印證了這一點(diǎn)：例如歐洲計劃提供高達(dá)...發(fā)布時間：2022-03-09 20:55 點(diǎn)擊次數(shù)：224 次
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英飛凌推出專為工業(yè)設(shè)備和風(fēng)車而優(yōu)化的功率模塊 英飛凌科技股份公司推出全新1200伏和1700伏電壓級功率模塊PrimePACKTM，其重量比同等功率的模塊低45%。英飛凌是目前**一家能夠生產(chǎn)如此緊湊高效的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊的半導(dǎo)體廠商。該公司在PCIM...發(fā)布時間：2021-12-08 21:40 點(diǎn)擊次數(shù)：266 次
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Infineon英飛凌模塊選型參考 Infineon英飛凌模塊型號解讀 FZ：一單元模塊 FF：兩單元模塊(半橋模塊) FP：七單元模塊(功率集成模塊) FD/DF：斬波模塊 F4：四單元模塊 FS：六單元模塊 DD：二極管模塊 400：Tc=80°C時的額...發(fā)布時間：2020-06-23 19:04 點(diǎn)擊次數(shù)：3774 次
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SEMIKRON賽米控IGBT模塊的命名規(guī)則 舉例： SKM100GB123DSKSK表示SEMIKRON的IGBT M表示應(yīng)用技術(shù)或者模塊結(jié)構(gòu)：M——表示采用MOS技術(shù)D——表示七單元模塊（即互相整流橋+1CBT斬波器...發(fā)布時間：2020-03-13 18:36 點(diǎn)擊次數(shù)：2975 次
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英飛凌IGBT模塊的檢測方法 英飛凌IGBT模塊有三個電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極)一、用指針式萬用表對英飛凌IGBT模塊場效應(yīng)管進(jìn)行判別（1）用測電阻法判別英飛凌IGBT模塊結(jié)型場效應(yīng)管的電極根據(jù)...發(fā)布時間：2019-06-06 12:23 點(diǎn)擊次數(shù)：4063 次
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IGBT逆變焊機(jī)基礎(chǔ)知識 IGBT逆變焊機(jī)基礎(chǔ)知識一、關(guān)于逆變焊機(jī)1、什么叫逆變焊機(jī)采用逆變技術(shù)的弧焊電源稱為逆變焊機(jī)。逆變過程需要大功率電子開關(guān)器件，采用IGBT作為開關(guān)器件的逆變焊機(jī)稱為IGBT逆變焊機(jī)。發(fā)布時間：2019-01-01 14:37 點(diǎn)擊次數(shù)：2519 次
